内容紹介
現在最も多く使われているMOSデバイスに重点を置き、半導体表面や界面の電荷の問題を詳述。また、デバイスの物理について量子論的な説明を加えている。平易な解説、豊富な図表によって独習でも理解できるよう構成。
目次
１ 半導体中キャリアの運動
１・１ 半導体とは
１・２ キャリア
１・３ キャリアの散乱と電気抵抗
１・４ キャリアの散乱と移動度
１・５ 拡散とドリフト
２ エネルギーバンドと有効質量
２・１ 格子の中でのキャリアの移動
２・２ エネルギーバンド
――かこみ１――
２・３ 有効質量
３ 真性半導体と不純物半導体
３・１ エネルギーバンドとフェルミ準位
３・２ 絶縁体と金属
３・３ 真性半導体
３・４ 不純物半導体
３・５ フェルミ統計とキャリヤ密度
４ キャリアの注入とその振舞い
４・１ 局在準位と浅い準位，深い準位
４・２ Shockley-Readモデル
４・３ 少数キャリアの寿命
４・４ 光伝導効果
４・５ 過剰小数キャリヤに対する連続の方程式
４・６ キャリアの注入とキャリアの分布
５ 表面，界面と電子準位
５・１ 表面および界面の特殊性と電子構造
５・２ 表面，界面の局在準位とキャリア
６ ｐ-ｎ接合とその特性
６・１ ｐ-ｎ接合とｐ-ｎ接合ダイオード
６・２ 空乏層と空間電荷領域
６・３ 内部電位
６・４ ポアソンの方程式を用いた解析
６・５ 空乏層容量とC-V特性
６・６ 電流‐電圧特性
――かこみ２――
６・７ ｐ-ｎ接合の逆方向特性
６・８ トンネルダイオード
６・９ 接合のスイッチング特性
７ Ｍ-Ｓ接合とその特性
７．１ ショットキー障壁とエネルギーバンド図
７．２ 鏡像力とショットキー効果
７・３ ショットキー障壁ダイオード
７・４ オーミック接触
８ ＭＯＳ構造とＭＯＳ電界効果
８・１ ＭＳダイオード
８・２ 理想ＭＯＳ構造
８・３ ＭＯＳ電界効果
８・４ 界面トラップと電界効果
８・５ ＭＯＳ表面のポテンシャル分布
８・６ ＭＯＳ表面の電荷密度の表面ポテンシャル
８・７ 実際のＭＯＳ構造
８・８ 反転しきい値電圧
９ ＭＯＳダイオードの諸特性と酸化膜および界面の電荷
９・１ ＭＯＳ・C-V特性
９・２ 酸化膜および界面の電荷
９・３ ＭＯＳ・C-t特性とキャリアの動き
10 ＭＯＳトランジスタとＭＯＳインバータ
10・１ ＭＯＳトランジスタの概要
10・２ エンハンスメント型とデプレッション型
10・３ ＭＯＳＴへの界面トラップの影響
10・４ ロングチャネルモデルによる電流‐電圧特性の解析
10・５ チャネルコンダクタンスと相互コンダクタンス
10・６ しゃ断周波数とスイッチング速度
10・７ ＭＯＳインバータ
11 ＣＯＭＳデバイスとラッチアップ
11・１ ＣＯＭＳインバータ
11・２ ＣＯＭＳインバータの構造と特徴
11・３ ラッチアップ現象とその対策
11・４ ＳＯＩウェーハ
12 微細ＭＯＳデバイスのショートチャネル効果
12・１ ＭＯＳＴの微細化と問題点
12・２ ショートチャネル効果
12・３ サブスレッショルド特性
12・４ ホットキャリアとその対策
13 ＬＳＩプロセスの基礎
13・１ ＬＳＩプロセスの概要
13・２ 寄生デバイス
13・３ ＬＯＣＯＳプロセス
13・４ Ｓｉゲートプロセス
13・５ ｎＭＯＳプロセスとＣＯＭＳプロセス
付録
基本定数と換算表
付録Ａ 有効質量の式の導出
付録Ｂ フェルミ粒子とボース粒子およびその統計
付録Ｃ 状態密度の導出
付録Ｄ トンネル現象
付録Ｅ サイリスタ
付録Ｆ ＬＳＩメモリデバイス
出版社からのメッセージ
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