半導体デバイスの基礎 中

半導体デバイスの基礎 中

ダイオードと電界効果トランジスタ
原書名 Fundamentals of Semiconductor Devices
著者名 樺沢 宇紀
発行元 丸善出版
発行年月日 2012年01月
判型 A5 210×148
ページ数 400ページ
ISBN 978-4-621-06156-5
Cコード 3055
ジャンル 物理学 >  応用物理

内容紹介

半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書。一般の理工系学生を読者として想定し、特別な予備知識を前提とせずに徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う。中巻では前半にダイオードの動作原理と動作特性について、誘電緩和過程の検討なども含めた十全な説明を与える。後半では代表的な3端子素子である電界効果トランジスタ(FET)の動作を、基礎的な長チャネルモデルから説き起こして現実的な微細素子の特性に至るまで論じる。CMOS回路やメモリー(記憶装置)への応用も簡単に紹介。

目次

第II部 ダイオード 
 第5章 理想的なpnホモ接合
  5.1 はじめに
  5.2 理想的なpn接合(定性的議論)
  5.3 理想的なpnホモ接合(定量的議論)
  5.4 理想的なホモ接合の小信号インピーダンス
  5.5 過渡的な効果
  5.6 温度の効果
  5.7 まとめ
  5.8 付録の参考文献リストについて 
  5.9 復習のポイント
  5.10 練習問題
 第6章 一般のダイオード
  6.1 はじめに
  6.2 非段差ホモ接合
  6.3 半導体ヘテロ接合
  6.4 金属―半導体接合
  6.5 理想的でない接合やヘテロ接合の容量
  6.6 まとめ
  6.7 付録の参考文献リストについて
  6.8 第6章の参考文献
  6.9 復習のポイント
  6.10 練習問題
 補遺2:ダイオードに関する補足
  S2.1 はじめに
  S2.2 誘電緩和時間 
  S2.3 接合容量
  S2.4 Schottkyダイオードにおける2次的効果
  S2.5 ダイオードのSPICEモデル
  S2.6 まとめ
  S2.7 付録の参考文献リストについて
  S2.8 補遺2の参考文献
  S2.9 練習問題
第III部 電界効果トランジスタ(FET)
 第7章 MOSFET
  7.1 はじめに
  7.2 MOSFET(定性的議論)
  7.3 MOSFET(定量的議論)
  7.4 長チャネルモデルと実験結果の比較
  7.5 まとめ
  7.6 付録の参考文献リストについて
  7.7 第7章の参考文献
  7.8 復習のポイント
  7.9 練習問題
 第8章 FETに関する追加的な考察
  8.1 はじめに
  8.2 閾値電圧と低電界移動度の測定
  8.3 閾下領域における漏れ電流
  8.4 相補型MOSFET(CMOS)
  8.5 CMOSインバーター回路におけるスイッチ操作
  8.6 MOSFETの等価回路
  8.7 電流利得と遮断周波数fT
  8.8 短チャネル効果
  8.9 MOSFETのスケーリング(寸法規則)
  8.10 絶縁体上シリコン(SOI)
  8.11 他のFET
  8.12 まとめ
  8.13 付録の参考文献リストについて
  8.14 第8章の参考文献
  8.15 復習のポイント
  8.16 練習問題
 補遺3:MOSデバイスに関する補足
  S3.1 はじめに
  S3.2 チャネル電荷Qchに関する注意
  S3.3 MOSFETの閾値電圧
  S3.4 低電界移動度に関する普遍的な関係式
  S3.5 VTの測定
  S3.6 長チャネルMOSFETのVTとμ1fを求める別の方法
  S3.7 MOSキャパシター
  S3.8 MOSキャパシターの混成図
  S3.9 デバイスの劣化
  S3.10 MOSFETの低温動作
  S3.11 SPICEによるMOSFETの特性の計算
  S3.12 まとめ
  S3.13 付録の参考文献リストについて
  S3.14 補遺3の参考文献
  S3.15 復習のポイント
  S3.16 練習問題
 

出版社からのメッセージ

本書は、2008年5月にシュプリンガー・ジャパン株式会社より出版された同名書籍を再出版したものです。

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