半導体デバイスの基礎 上

半導体デバイスの基礎 上

半導体物性
原書名 Fundamentals of Semiconductor Devices
著者名 樺沢 宇紀
発行元 丸善出版
発行年月日 2012年01月
判型 A5 210×148
ページ数 306ページ
ISBN 978-4-621-06147-3
Cコード 3055
ジャンル 物理学 >  応用物理

内容紹介

半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書。一般の理工系学生を読者として想定し、特別な予備知識を前提とせずに、徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う。上巻では原子と半導体結晶に関する初歩的な概念から説き起こし、電子デバイスの動作の理解に不可欠な半導体物性の基礎知識を与える。補遺において量子力学の基礎、Hall測定、キャリヤへの温度の影響、フォノンの性質などについても一通り紹介する。

目次

第I部 半導体物性
 第1章 半導体内部の電子状態
  1.1 はじめに
  1.2 歴史的な経緯  
  1.3 水素原子模型の応用
  1.4 波動・粒子の二重性  
  1.5 波動関数
  1.6 電子の波動関数
  1.7 光の放射と吸収
  1.8 結晶構造および結晶内の面と方向
  1.9 まとめ
  1.10 付録の参考文献リストについて
  1.11 第1章の参考文献
  1.12 復習のポイント  
  1.13 練習問題
 第2章 均一な半導体のキャリヤとバンド構造
  2.1 はじめに
  2.2 結晶内の電子に対する準古典文学
  2.3 伝導体の構造
  2.4 価電子隊の構造
  2.5 真性半導体
  2.6 外因性半導体(不純物半導体)
  2.7 正孔の概念
  2.8 バンド内の電子の状態密着
  2.9 Fermi-Dirac統計
  2.10 電子と正孔のエネルギー分布
  2.11 非縮退半導体におけるキャリヤ密度の温度依存性
  2.12 縮退半導体
  2.13 まとめ
  2.14 付録の参考文献リストについて
  2.15 第2章の参考文献
  2.16 復習のポイント
  2.17 練習問題
 第3章 均一な半導体におけるキャリヤの挙動
  3.1 はじめに
  3.2 ドリフト電流
  3.3 キャリヤの散乱
  3.4 拡散電流 
  3.5 キャリヤの生成と再結合
  3.6 半導体における光学的な過程
  3.7 連続の方程式
  3.8 少数キャリアの寿命
  3.9 少数キャリヤの拡散距離 
  3.10 擬Fermi準位
  3.11 まとめ
  3.12 付録の参考文献リストについて
  3.13 第3章の参考文献
  3.14 復習のポイント
  3.15 練習問題
 第4章 不均一な半導体
  4.1 熱平衡状態におけるFermi準位
  4.2 傾斜ドーピング
  4.3 不均一な組成
  4.4 組成勾配と傾斜ドーピングの組合せ
  4.5 まとめ
  4.6 付録の参考文献リストについて
  4.7 第4章の参考文献
  4.8 復習のポイント
  4.9 練習問題
 補遺1:電子と半導体の物理
 補遺1A:量子力学入門
  S1A.1 はじめに
  S1A.2 波動関数
  S1A.3 波動関数と確率 
  S1A.4 Schrodinger方程式
  S1A.5 Schrodinger方程式の電子への適用
  S1A.6 量子力学に基づく考察
  S1A.7 まとめ
  S1A.8 復習のポイント
  S1A.9 練習問題
 補遺1B:半導体物性に関する補足
  S1B.1 キャリヤ密度と移動度の測定
  S1B.2 束縛状態の電子に関するFermi-Dirac統計
  S1B.3 半導体におけるキャリヤの凍結
  S1B.4 フォノン
  S1B.5 まとめ
  S1B.6 付録の参考文献リストについて
  S1B.7 補遺1Bの参考文献
  S1B.8 復習のポイント
  S1B.9 練習問題

出版社からのメッセージ

本書は、2008年5月にシュプリンガー・ジャパン株式会社より出版された同名書籍を再出版したものです。

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