半導体デバイスの基礎 下

半導体デバイスの基礎 下

バイポーラ・トランジスタと光デバイス
原書名 Fundamentals of Semiconductor Devices
著者名 樺沢 宇紀
発行元 丸善出版
発行年月日 2012年01月
判型 A5 210×148
ページ数 328ページ
ISBN 978-4-621-06167-1
Cコード 3055
ジャンル 物理学 >  応用物理

内容紹介

半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書。一般の理工系学生を読者として想定し、特別な予備知識を前提とせずに、徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う。下巻では、3端子素子の1つの接合型バイポーラ・トランジスタ(BJT)の基本動作原理を論じ、等価回路モデルを用いた解析手法を解説。続いて光デバイスやイメージ・センサーを紹介。付録では半導体基板の製造からチップのパッケージなどの製造工程の概説や、状態密度や有効質量の数式的な扱いに関する解説も収録。

目次

第IV部 バイポーラ・トランジスタ(BJT)
 第9章 バイポーラ・トランジスタの静的特性
  9.1 はじめに
  9.2 出力特性(定性的議論)
  9.3 電流利得
  9.4 理想的なBJTのモデル
  9.5 BJTにおける不純物濃度の勾配
  9.6 基本的なEbers-Moll直流モデル
  9.7 BJTにおける電流集中とベース抵抗
  9.8 ベース幅の変調(Early効果)
  9.9 なだれ破壊
  9.10 高水準注入
  9.11 ベース押し出し
  9.12 エミッター―ベース接合における再結合
  9.13 まとめ
  9.14 付録の参考文献リストについて
  9.15 第9章の参考文献
  9.16 復習のポイント
  9.17 練習問題  
 第10章 BJTの時間依存特性の解析
  10.1 はじめに
  10.2 Ebers-Moll交流モデル
  10.3 小信号等価回路
  10.4 BJTにおける蓄積電荷容量
  10.5 周波数高等
  10.6 高周波トランジスタ 
  10.7 BJTのスイッチ動作
  10.8 BJTとMOSFETとBiMOS
  10.9 まとめ
  10.10 付録の参考文献リストについて
  10.11 第10章の参考文献
  10.12 復習のポイント
  10.13 練習問題
 補遺4:バイポーラ・デバイス
  S4.1 はじめに
  S4.2 ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)
  S4.3 Si―BJTとSiGeベース,GaAsベースHBT
  S4.4 サイリスタ(npnp型スイッチ)
  S4.5 シリコン制御整流器
  S4.6 CMOS回路における寄生npnpスイッチ
  S4.7 BJTへのSPICEの適用
  S4.8 SPICEのBJTへの応用例
  S4.9 まとめ
  S4.10 補遺4の参考文献
  S4.11 復習のポイント
  S4.12 練習問題
第V部 光デバイス
 第11章 光エレクトロニクスデバイス
  11.1 はじめに
  11.2 光検出器(フォト・ダイオード)
  11.3 発光ダイオード(LED)
  11.4 レーザー・ダイオード
  11.5 撮像素子(イメージ・センサー)
  11.6 まとめ
  11.7 付録の参考文献リストについて
  11.8 第11章の参考文献
  11.9 復習のポイント
  11.10 練習問題
 付録A 半導体デバイスの製造
  A.1 はじめに
  A.2 基盤の製造
  A.3 不純物添加
  A.4 リソグラフィ
  A.5 導電体と絶縁体
  A.6 クリーン・ルーム
  A.7 パッケージ
  A.8 まとめ
 付録B 状態密着と有効質量
  B.1 はじめに
  B.2 1次元自由電子
  B.3 2次元自由電子 
  B.4 3次元自由電子
  B.5 周期的な結晶現場における疑似自由電子
  B.6 状態密着度有効質量
  B.7 はじめに
  B.8 有効質量のまとめ
 付録C 定数・単位・元素表
 付録D 記号一覧・ギリシャ文字
 付録E 微分公式
 付録F 有用な式
 付録G 参考文献リスト

出版社からのメッセージ

本書は、2008年05月にシュプリンガー・ジャパン株式会社より出版された同名書籍を再出版したものです。

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