MOSFETのモデリングとBSIM3ユーザーズ・ガイド
| 著者名 | 鳥谷部 達 監修 三洋電機（株） 訳 （株）日立製作所 訳 （株）リコー 訳 （株）シルバコ・ジャパン 訳 |
|---|---|
| 発行元 | 丸善出版 |
| 発行年月日 | 2002年02月 |
| 判型 | A5 210×148 |
| ページ数 | 486ページ |
| ISBN | 978-4-621-04983-9 |
| Cコード | 3055 |
| NDCコード | 549 |
| ジャンル | 電気・電子・情報工学 |
内容紹介
LSIデバイスの回路シミュレーションモデルのバイブルといわれている原著の翻訳。BSIM3は、米国の代表的半導体メーカーおよび設計ツールメーカーをメンバーとする協議会で、初めて選ばれた標準MOSFETモデル。
目次
第１章 序論
１．１ 回路シミュレーションのためのコンパクトMOSFETモデリング
１．２ コンパクトMOSFETモデリングの動向
１．３ 文献
第２章 現代のMOSFETにおける重要な物理現象
２．１ MOSFETの種類と動作原理
２．２ しきい値電圧に影響を及ぼす効果
２．３ チャネル電荷の理論
２．４ キャリア移動度
２．５ 速度飽和
２．６ チャネル長変調
２．７ インパクトイオン化による基盤電流
２．８ ポリシリコンゲートの空乏化
２．９ 速度オーバーシュート効果
２．10 自己発熱効果
２．11 反転層における量子化効果
２．12 文献
第３章 しきい値電圧モデル
３．１ 長チャネルデバイスのしきい値電圧モデル
３．２ 短チャネル効果を考慮したしきい値電圧モデル
３．３ 狭チャネル効果モデル
３．４ BSIM3v3におけるしきい値電圧モデル
３．５ ヒント
３．６ 文献
第４章 I-Vモデル
４．１ I-V特性記述のための本質的な計算式
４．２ チャネル電荷密度モデル
４．３ 移動度モデル
４．４ 強反転領域におけるI-Vモデル
４．５ サブスレッシュホルドI-Vモデル
４．６ BSIM3v3の単一計算式によるI-Vモデル
４．７ ポリシリコンゲートの空乏化対策
４．８ ヒント
４．９ 文献
第５章 キャパシタンスモデル
５．１ MOSFETにおけるキャパシタンス要素
５．２ イントリンシックキャパシタンスのモデル
５．３ イクストリンシックキャパシタンス
５．４ BSIM3v3のキャパシタンスモデル
５．５ キャパシタンスモデルにおけるチャネル長・幅
５．６ ヒント
５．７ 文献
第６章 基板電流モデル
６．１ 基盤電流の発生
６．２ BSIM3v3における基盤電流
６．３ ヒント
６．４ 文献
第７章 ノイズモデル
７．１ フリッカー（1/f）ノイズの物理機構
７．２ 熱ノイズの物理機構
７．３ BSIM3v3におけるフリッカーノイズ
７．４ BSIM3v3における熱ノイズモデル
７．５ ヒント
７．６ 文献
第８章 ソース・ドレイン寄生素子モデル
８．１ MOSFETにおける寄生要素
８．２ BSIM3v3にける寄生素子のモデル
８．３ ヒント
８．４ 文献
第９章 温度依存性モデル
９．１ MOSFETにおける温度効果
９．２ BSIM3v3における温度依存性のモデル
９．３ 温度効果モデルの測定データとの比較
９．４ ヒント
９．５ 文献
第10章 非準静的（Non-quasi Static:ＮＱＳ）モデル
10．１ ＮＱＳ効果のモデリングの必要性
10．２ BSIM3v3におけるＮＱＳモデル
10．３ ＮＱＳモデルのテスト結果
10．４ ヒント
10．５ 文献
第11章 BSIM3v3モデルの組込み
11．１ BSIM3v3モデル組込みにおける一般構造
11．２ BSIM3v3組込みにおける安定性の考慮
11．３ モデル組込みのテスト
11．４ BSIM3v3のモデルセレクター
11．５ ヒント
11．６ 文献
第12章 モデルのテスト
12．１ 回路シミュレーションにおけるMOSFETモデルに対する要求
12．２ ベンチマークテスト
12．３ ベンチマークテストの結果
12．４ ヒント
12．５ 文献
第13章 モデルパラメータ抽出
13．１ モデルパラメータ抽出の概要
13．２ BSIM3v3に対するパラメータ抽出
13．３ ビニングの手法体系
13．４ モデルパラメータの推奨範囲
13．５ 自動化されたパラメータ抽出のツール
13．６ 文献
第14章 ＲＦ，および他分野へのコンパクトモデルの応用
14．１ ＲＦモデリング
14．２ 統計的モデリング
14．３ BSIM3モデルを用いた次世代技術の外挿と予測
14．４ 文献
付録Ａ BSIM3v3パラメータ
Ａ．１ モデルコントロールパラメータ
Ａ．２ プロセスパラメータ
Ａ．３ Vthモデルパラメータ
Ａ．４ I-Vモデルパラメータ
Ａ．５ キャパシタンスモデルパラメータ
Ａ．６ I-Vモデル実効チャネル長・チャネル幅パラメータ
Ａ．７ C-Vモデルにおける実効チャネル長・チャネル幅パラメータ
Ａ．８ 基板電流モデルパラメータ
Ａ．９ ノイズモデルパラメータ
Ａ．10 寄生要素モデルパラメータ
Ａ．11 温度効果モデルパラメータ
Ａ．12 ＮＱＳモデルパラメータ
付録Ｂ BSIM3v3モデル式
Ｂ．１ Vthモデル式
Ｂ．２ 実効的Vgs-Vth
Ｂ．３ 移動度
Ｂ．４ ドレイン飽和電圧
Ｂ．５ 実効的Vds
Ｂ．６ ドレイン電流表現
Ｂ．７ 基板電流
Ｂ．８ ポリシリコンゲート空乏化効果
Ｂ．９ 実効チャネル長・チャネル幅
Ｂ．10 ドレイン・ソース抵抗
Ｂ．11 キャパシタンスモデル式
Ｂ．12 ノイズモデル式
Ｂ．13 ソース・ドレインダイオードのＤＣモデル
Ｂ．14 ソース・基盤間，およびドレイン・基板間ダイオードのキャパシタンスモデル
Ｂ．15 温度効果
Ｂ．16 ＮＱＳモデル式
Ｂ．17 ポリシリコンゲート空乏化効果についての留意点
付録Ｃ ＢＳＩＭ３ｖ３．０に対するＢＳＩＭ３ｖ３．１の強化，および変更点
Ｃ．１ 強化点
Ｃ．２ 変更点の詳細
付録Ｄ ＢＳＩＭ３ｖ３に対するＢＳＩＭ３ｖ３．２の強化，および変更点
Ｄ．１ 強化点
Ｄ．２ 変更点の詳細
