CMOSモデリング技術

CMOSモデリング技術

SPICE用コンパクトモデルの理論と実際
著者名 青木 均 編著
嶌末 政憲
川原 康雄
発行元 丸善出版
発行年月日 2006年01月
判型 A5 210×148
ページ数 374ページ
ISBN 978-4-621-07664-4
Cコード 3055
ジャンル 社会科学

内容紹介

本書は、汎用回路シミュレータSPICEで用いられているコンパクトモデリングをこれから学習する、または知ってはいるがさらに詳しくより実践的な知識を得たい回路設計技術者、半導体プロセス・デバイスなどの研究・開発関連の技術者や、学生を対象にしたもの。ただ単にMOSFETの既存モデルをマニュアルのように解説するだけではなく、ある部分ではモデルの開側に立って、またある場合にはモデルを使用するユーザの立場に立って、検討・解説がなされている。ただ,コンパクトモデリングに特化しているので、本書を読む前に基礎的な半導体の知識、電子回路の基礎知識が必要。もちろん本書を読みながらそのような文献をその都度参照も可能。

目次

はじめに
1章 MOSFETの基礎物性とSPICE用コンパクトモデル
 1.1 はじめに
 1.2 シリコン半導体の物性と方程式
 1.3 MOSFET動作の定性的考察
 1.4 まとめ
2章 基礎的なMOSFETモデルの導出
 2.1 はじめに
 2.2 MOSFET動作の物理モデル
 2.3 UCB MOSFETレベル2モデル
 2.4 UCB MOSFETレベル3モデル
 2.5 UCB MOSFETモデルの等価回路
 2.6 まとめ 
3章 サブミクロンMOSFET(BSIMI1,2)モデルの概要
 3.1 BSIM1モデル
 3.2 BSIM2モデル
4章 ディープ・サブミクロンMOSFET(BSIM3,4)モデル
 4.1 BSIM3モデル
 4.2 BSIM4モデル
 4.3 まとめ
5章 ナノメータテクノロジー対応MOSFETモデル
 5.1 モデル開発のアプローチ
 5.2 表面電位方モデル(Surface Potetial Models)
 5.3 まとめ
6章 MOSFETの物理モデルパラメータ抽出手法
 6.1 デバイス選択とTEG設計
 6.2 重要な物理モデルパラメータの直接抽出
 6.3 最適化手法
 6.4 まとめ
7章 RF MOSFETモデルの開発とパラメータ抽出
 7.1 RF MOSFETの測定
 7.2 RF MOSFETのSパラメータシミュレーション
 7.3 RF MOSFETのモデル開発
 7.4 RF MOSFETのパラメータ抽出
 7.5 まとめ
8章 モデルパラメータBINNINGの手法
 8.1 BINNINGの考え方
 8.2 BINNINGパラメータ
 8.3 BINNINGの使用例
 8.4 BINNINGを使うときの注意点
 8.5 まとめ
9章 SOI-MOSFET(BSMSOI3)モデル
 9.1 SOI-MOSFETの動作と特徴
 9.2 BSIMSOI3.2のPD型DCモデル
 9.3 容量モデル
 9.4 温度依存と自己発熱モデル
 9.5 FD型DCモデル
 9.6 RFモデル
 9.7 雑音モデル
 9.8 まとめ
10章 SOI-MOSFETのモデルパラメータ抽出手法
 10.1 SOI-MOSFET高精度モデリングの考え方
 10.2 SOI-MOSFETのモデリング用TEGと測定
 10.3 SOI-MOSFETのモデルパラメータ抽出方法
 10.4 SOI-MOSFETのパルス測定
 10.5 まとめ
11章 統計解析モデリング概要
 11.1 統計解析モデリングで必要な統計知識
 11.2 COMSのNominalモデルパラメータ
 11.3 COMSのWorst Caseモデリング
 11.4 より正確なWorst Caseモデリングの手法
 11.5 CMOSのミスマッチモデリング
 11.6 統計解析モデルSPICEへの展開
 11.7 まとめ

定価:7,700円
(本体7,000円+税10%)
在庫:お問い合わせください

▼ 補足資料