内容紹介
今日のエレクトロニクスを支えるSi中の転位の挙動を知ることは、きわめて重要と言える。化合物半導体GaNの低転位化がLEDの発明へと導いたことは世界の認めるところである。この本は、古典転位論の要点から最先端―とくに半導体材料への応用まで、丁寧にわかりやすく解説した教科書。材料系の視点から、転位の本質に迫ることができるように解説され、電子顕微鏡写真や、オリジナルの図によって、理解しやすいように工夫されている。例題や問題を多数収載し、新しい材料開発のために転位と格闘している研究者、技術者などにとって必須の書となるだろう。
目次
第I部 基礎
1章 結晶学の要点
1-1 単位胞
1-2 結晶学的方向と結晶学的面の表示法
1-3 六方晶用指数
1-4 ステレオ投影と標準投影
2章 転位の幾何学
2-1 結晶の機械的性質(応力‐歪曲線)
2-2 理想結晶の強度(フレンケル‐コントロバ(Frenkel-Kontrova)のモデル)
2-3 転位の定義
2-4 バーガース回路(FS/RH(perfect))
2-5 刃状転移,らせん転移,混合転移
2-6 キルヒホッフの法則
2-7 2本の転移が遭遇したときの反応
2-8 プリズマティック転移
2-9 転位の上昇運動
3章 弾性論の基礎
3-1 変位,歪,応力の定義
3-2 フックの式の行列による表示
3-3 応力,歪の座標変換
3-4 等方弾性体のフックの式
3-5 円柱座標と極座標による表示
4章 転位の弾性論
4-1 らせん転移
4-2 刃状転移
4-3 混合転移
4-4 ピーチ‐ケーラーの式の応用
4-5 非等方性結晶における転移
5章 転位と溶質原子との弾性的相互作用
5-1 等方的な歪(コットレル効果)
5-2 非等方的な歪
6章 転位の移動 (パイエルス力) と増殖 (フランク-リード源,バーディン‐へリング源)
6-1 パイエルス力
6-2 転位源
7章 集団としての転位
7-1 転位の堆積
7-2 ポリゴン化と傾角粒界
7-3 捩れ粒界
8章 面心立方(FCC)構造中の分解転位
8-1 分解転位
8-2 拡張転位の幅
8-3 拡張転位上のジョグとステア・ロッド転位
8-4 拡張転位どうしの反応
8-5 拡張転位の上昇運動
8-6 拡張転位の拡張幅の合金濃度および温度依存性
8-7 拡張転位と溶質原子との相互作用
9章 六方最密充填構造中の拡張転位
9-1 六方最密充填構造の積層欠陥
9-2 HCP合金中のSFEの組成依存性
第II部 応用
10章 規則合金,金属化合物中の転位と強度の逆温度依存性
10-1 概論
10-2 規則構造中の転移
10-3 規則化による強化
10-4 強度の逆温度依存性
11章 ダイヤモンド,閃亜鉛鉱,ウルツ鋼構造およびSiC中の転位
11-1 ダイヤモンド構造中の転移(シャッフル・セットとグライド・セット)
11-2 閃亜鉛鉱構造中の転移
11-3 ウルツ鉱中のショックレー部分転位
11-4 SiC中の転位
12章 転位と巨視的な強度の関係
12-1 単結晶の降伏の幾何学
12-2 単結晶の降伏の現象論
12-3 転位運動の熱活性化過程——内部応力と有効応力
12-4 BCC金属の降伏
12-5 初期の可動転移が完全に0の場合
12-6 単結晶の加工硬化
12-7 固溶体硬化,析出硬化,分散硬化
13章 薄膜中の転位
13-1 エピ層内のミスフィット転位
13-2 エピ層中の貫通転位
13-3 薄膜中の拡張転位の挙動
補遺 4H‐SiCエピ層中のBPDのTEDへの変換の機構
付録
A-1 転位密度の低減法
A-2 HCPの面および方位
A-3 らせん転位の模型
A-4 ステレオ投影
A-5 すべり系の決定
A-6 トンプソンの四面体
A-7 応力の変換のテンプレート
(本体4,000円+税10%)
在庫:品切れ・重版未定
▼ 補足資料
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