タウア・ニン 最新VLSIの基礎 第2版

タウア・ニン 最新VLSIの基礎 第2版

原書名 Fundamentals of Modern VLSI Devices Second Edition
著者名 芝原 健太郎 監訳
宮本 恭幸 監訳
内田 建 監訳
発行元 丸善出版
発行年月日 2013年01月
判型 A5 210×148
ページ数 760ページ
ISBN 978-4-621-08581-3
Cコード 3055
ジャンル 電気・電子・情報工学 >  電気 >  電気回路・計測・材料
電気・電子・情報工学 >  電子・通信 >  半導体・電子回路

内容紹介

世界で定評ある「Fundamentals of Modern VLSI Devices」の改訂2版の翻訳書。全ての章が加筆改訂され、既存の章に対してMOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属-シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含むように基本的なデバイスの物理と回路に関する議論を拡大した。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。電子デバイスに携わる技術者、研究者、学生の必携の一冊。

目次

1 序章
 1.1 VLSIデバイス技術における革新
 1.2 最近のVLSIデバイス
 1.3 本書の概要
2 デバイス物理の基礎
 2.1 シリコン中の電子と正孔
 2.2 p‐n接合
 2.3 MOSキャパシタ
 2.4 金属‐シリコン接触
 2.5 高電界効果
3 MOSFETデバイス
 3.1 長チャネルMOSFET
 3.2 短チャネルMOSFET
4 CMOSデバイス設計
 4.1 MOSFETスケーリング
 4.2 しきい値電圧
 4.3 MOSFETのチャネル長
5 CMOS性能因子
 5.1 CMOS基本回路
 5.2 寄生成分
 5.3 デバイスパラメータのCMOS遅延に対する影響度
 5.4 先端CMOSデバイスの性能因子
6 バイポーラデバイス
 6.1 n‐p‐nトランジスタ
 6.2 理想電流‐電圧特性
 6.3 典型的なn-p-nトランジスタの特性
 6.4 回路と過渡応答解析のためのバイポーラデバイスモデル
 6.5 降伏電圧
7 バイポーラデバイス設計
 7.1 エミッタ領域の設計
 7.2 ベース領域の設計
 7.3 コレクタ領域の設計
 7.4 SiGeベースバイポーラトランジスタ
 7.5 現代のバイポーラトランジスタ構造
8 バイポーラ性能因子
 8.1 バイポーラトランジスタの性能指標
 8.2 デジタルバイポーラ回路
 8.3 デジタル回路のためのバイポーラトランジスタ最適化
 8.4 ECL回路におけるバイポーラトランジスタのスケーリング
 8.5 アナログ回路におけるバイポーラデバイスの最適化とスケーリング
 8.6 SiGeベースバイポーラトランジスタGaAsHBTの比較
9 メモリデバイス
 9.1 スタティックランダムアクセスメモリ
 9.2 ダイナミックランダムアクセスメモリ
 9.3 不揮発性メモリ
10 SOIデバイス
 10.1 SOI CMOS
 10.2 薄膜SOIバイポーラ
 10.3 ダブルゲートMOSFET
付録A1 CMOSプロセスフロー
付録A2 最近のn-p-nバイポーラトランジスタ製造プロセスの概要
付録A3 アインシュタインの関係式
 A3.1 ドリフト
 A3.2 拡散
付録A4 擬フィルミ・ポテンシャルの空間分布
 A4.1 少数キャリア擬フィルミ・ポテンシャルの空間分布
 A4.2 空間電荷領域内での擬フィルミ・ポテンシャルの変化
付録A5 生成‐再結合過程と空間電荷領域電流
 A5.1 トラップにおける捕獲と放出
 A5.2 定常状態におけるトラップの占有
 A5.3 正味の再結合率
 A5.4 有効な生成‐再結合中心
 A5.5 少数キャリアの寿命
 A5.6 空乏領域における生成率
 A5.7 空間電荷領域内の正味の再結合率
 A5.8 空間電荷領域に起因する生成‐再結合電流
付録A6 p‐nダイオードの拡散容量
 A6.1 小信号電子・正孔成分
 A6.2 小信号ベース端子電流
 A6.3 周波数(ωTPE<1およびωtB<1)拡散容量
 A6.4 高周波における拡散容量(ωTpE>1)
付録A7 鏡像力による障壁低下
付録A8 なだれ降伏の開始条件
付録A9 サブスレッショルド状態での短チャネル効果の解析解
付録A10 一般化したMOSFETのスケール長モデル
 A10.1 2領域スケール長方程式
 A10.2 3領域スケール長方程式
 A10.3 区分的固有関数の可能性
付録A11 バリスティックMOSFETのドレイン電流モデル
 A11.1 バリスティックMOSFETにおけるソース‐ドレイン伝習モデル
 A11.2 単一サブバンド電力利用
付録A12 弱反転状態での量子力学的な解析解
 A12.1 2次元状態密度
 A12.2 量子力学的反転電荷密度
 A12.3 低電界量子力学解の3次元連続解への収束
付録A13 2端子対網の電力利得
付録A14 MOSFETトランジスタの単位利得周波数
 A14.1 単位電流利得周波数fT
 A14.2 単位電力利得周波数fmax
付録A15 エミッタ抵抗とベース抵抗の決定
 A15.1 エミッタ直列抵抗がVBEに依存せず,一定である場合
 A15.2 エミッタ著呉t抵抗がVBEの関数の場合
 A15.3 ベース抵抗の直接測定
 A15.4 ベース抵抗のVBE依存性
付録A16 真性ベース抵抗
 A16.1 電流集中効果が無視できる場合
 A16.2 他のエミッタ構造
 A16.3 エミッタ電流集中効果の推定
付録A17 Si‐Sige n-pダイオードのエネルギーバンド図
付録A18 バイポーラトランジスタのfTとFmax
 A18.1 遮断(単位電流利得)周波数fT
 A18.2 単位電力利得(最大発振)周波数fmax

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