タウア・ニン 最新VLSIの基礎 第2版

原書名	Fundamentals of Modern VLSI Devices Second Edition
著者名	芝原 健太郎 監訳 宮本 恭幸 監訳 内田 建 監訳
発行元	丸善出版
発行年月日	2013年01月
判型	A5　210×148
ページ数	760ページ
ISBN	978-4-621-08581-3
Cコード	3055
NDCコード	549
ジャンル	電気・電子・情報工学 >  電気 >  電気回路・計測・材料 電気・電子・情報工学 >  電子・通信 >  半導体・電子回路

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内容紹介

世界で定評ある「Fundamentals of Modern VLSI Devices」の改訂２版の翻訳書。全ての章が加筆改訂され、既存の章に対してＭＯＳＦＥＴのスケール長の理論や高電界輸送モデル、ＳｉＧｅベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属-シリコンのコンタクト、ＣＭＯＳ回路のノイズマージンおよびＲＦ応用向けの性能指数を含むように基本的なデバイスの物理と回路に関する議論を拡大した。さらにメモリデバイス、ＳＯＩデバイスについて新たに二つの章が追加された。電子デバイスに携わる技術者、研究者、学生の必携の一冊。

目次

１　序章
　１．１　ＶＬＳＩデバイス技術における革新
　１．２　最近のＶＬＳＩデバイス
　１．３　本書の概要
２　デバイス物理の基礎
　２．１　シリコン中の電子と正孔
　２．２　ｐ‐ｎ接合
　２．３　ＭＯＳキャパシタ
　２．４　金属‐シリコン接触
　２．５　高電界効果
３　ＭＯＳＦＥＴデバイス
　３．１　長チャネルＭＯＳＦＥＴ
　３．２　短チャネルＭＯＳＦＥＴ
４　ＣＭＯＳデバイス設計
　４．１　ＭＯＳＦＥＴスケーリング
　４．２　しきい値電圧
　４．３　ＭＯＳＦＥＴのチャネル長
５　ＣＭＯＳ性能因子
　５．１　ＣＭＯＳ基本回路
　５．２　寄生成分
　５．３　デバイスパラメータのＣＭＯＳ遅延に対する影響度
　５．４　先端ＣＭＯＳデバイスの性能因子
６　バイポーラデバイス
　６．１　ｎ‐ｐ‐ｎトランジスタ
　６．２　理想電流‐電圧特性
　６．３　典型的なn-p-nトランジスタの特性
　６．４　回路と過渡応答解析のためのバイポーラデバイスモデル
　６．５　降伏電圧
７　バイポーラデバイス設計
　７．１　エミッタ領域の設計
　７．２　ベース領域の設計
　７．３　コレクタ領域の設計
　７．４　ＳｉＧｅベースバイポーラトランジスタ
　７．５　現代のバイポーラトランジスタ構造
８　バイポーラ性能因子
　８．１　バイポーラトランジスタの性能指標
　８．２　デジタルバイポーラ回路
　８．３　デジタル回路のためのバイポーラトランジスタ最適化
　８．４　ＥＣＬ回路におけるバイポーラトランジスタのスケーリング
　８．５　アナログ回路におけるバイポーラデバイスの最適化とスケーリング
　８．６　ＳｉＧｅベースバイポーラトランジスタＧａＡｓＨＢＴの比較
９　メモリデバイス
　９．１　スタティックランダムアクセスメモリ
　９．２　ダイナミックランダムアクセスメモリ
　９．３　不揮発性メモリ
10　ＳＯＩデバイス
　10．１　ＳＯＩ　ＣＭＯＳ
　10．２　薄膜ＳＯＩバイポーラ
　10．３　ダブルゲートＭＯＳＦＥＴ
付録Ａ１　ＣＭＯＳプロセスフロー
付録Ａ２　最近のn-p-nバイポーラトランジスタ製造プロセスの概要
付録Ａ３　アインシュタインの関係式
　Ａ３．１　ドリフト
　Ａ３．２　拡散
付録Ａ４　擬フィルミ・ポテンシャルの空間分布
　Ａ４．１　少数キャリア擬フィルミ・ポテンシャルの空間分布
　Ａ４．２　空間電荷領域内での擬フィルミ・ポテンシャルの変化
付録Ａ５　生成‐再結合過程と空間電荷領域電流
　Ａ５．１　トラップにおける捕獲と放出
　Ａ５．２　定常状態におけるトラップの占有
　Ａ５．３　正味の再結合率
　Ａ５．４　有効な生成‐再結合中心
　Ａ５．５　少数キャリアの寿命
　Ａ５．６　空乏領域における生成率
　Ａ５．７　空間電荷領域内の正味の再結合率
　Ａ５．８　空間電荷領域に起因する生成‐再結合電流
付録Ａ６　ｐ‐ｎダイオードの拡散容量
　Ａ６．１　小信号電子・正孔成分
　Ａ６．２　小信号ベース端子電流
　Ａ６．３　周波数（ωTPE＜１およびωtB＜１）拡散容量
　Ａ６．４　高周波における拡散容量（ωTpE＞１）
付録Ａ７　鏡像力による障壁低下
付録Ａ８　なだれ降伏の開始条件
付録Ａ９　サブスレッショルド状態での短チャネル効果の解析解
付録Ａ10　一般化したMOSFETのスケール長モデル
　Ａ10．１　２領域スケール長方程式
　Ａ10．２　３領域スケール長方程式
　Ａ10．３　区分的固有関数の可能性
付録Ａ11　バリスティックＭＯＳＦＥＴのドレイン電流モデル
　Ａ11．１　バリスティックＭＯＳＦＥＴにおけるソース‐ドレイン伝習モデル
　Ａ11．２　単一サブバンド電力利用
付録Ａ12　弱反転状態での量子力学的な解析解
　Ａ12．１　２次元状態密度
　Ａ12．２　量子力学的反転電荷密度
　Ａ12．３　低電界量子力学解の３次元連続解への収束
付録Ａ13　２端子対網の電力利得
付録Ａ14　ＭＯＳＦＥＴトランジスタの単位利得周波数
　Ａ14．１　単位電流利得周波数fT
　Ａ14．２　単位電力利得周波数fmax
付録Ａ15　エミッタ抵抗とベース抵抗の決定
　Ａ15．１　エミッタ直列抵抗がVBEに依存せず，一定である場合
　Ａ15．２　エミッタ著呉ｔ抵抗がVBEの関数の場合
　Ａ15．３　ベース抵抗の直接測定
　Ａ15．４　ベース抵抗のＶＢＥ依存性
付録Ａ16　真性ベース抵抗
　Ａ16．１　電流集中効果が無視できる場合
　Ａ16．２　他のエミッタ構造
　Ａ16．３　エミッタ電流集中効果の推定
付録Ａ17　Ｓｉ‐Ｓｉｇｅ　ｎ-ｐダイオードのエネルギーバンド図
付録Ａ18　バイポーラトランジスタのfTとFmax
　Ａ18．１　遮断（単位電流利得）周波数fT
　Ａ18．２　単位電力利得（最大発振）周波数fmax