内容紹介
半導体製造工程における各種プロセス技術を組み合わせて性能向上を図るプロセスインテグレーションについて、個々のプロセスの基本原理を俯瞰し、それらを総合的に理解した上で最適な組み合わせを見出すきっかけを与える。１章ではＭＯＳ型集積回路とその製造工程の概要を説明する。２章では多様なプロセス技術をまとめる基本原理を紹介。３章ではミクロな視点からゲートスタック工程とその最先端を概観する。４章では多層配線技術とその最前線および将来展望について解説する。
目次
１章 ＭＯＳ型集積回路プロセスの概要
１．１ ＣＭＯＳ集積回路
１．２ ＭＯＳ型集積回路の要素技術
２章 ＬＳＩ製造プロセス技術の基礎
２．１ 準平衡プロセス
２．２ 非平衡プロセス
２．３ 露光技術
３章 フロントエンド技術
３．１ ＣＯＭＳの基礎
３．２ ゲートスタック形成技術
３．３ ソース‐ドレイン形成技術
３．４ メタルゲート‐high-k ＣＭＯＳプロセス技術
３．５ ＣＭＯＳ技術の今後の課題と展開
３．６ まとめ
４章 バックエンド技術
４．１ 多層配線の設計
４．２ 多層配線材料と多層配線プロセス
４．３ 多層配線の信頼性
付録Ａ 故障時間データ分布
Ａ．１ 対数正規分布
Ａ．２ ワイブル分布
