メモリデバイス・イメージセンサ

メモリデバイス・イメージセンサ

著者名 角南 英夫 編著
川人 祥二 編著
有本 和民
石原 宏
発行元 丸善出版
発行年月日 2009年12月
判型 A5 210×148
ページ数 314ページ
ISBN 978-4-621-08213-3
Cコード 3355
NDCコード 549
ジャンル 電気・電子・情報工学 >  電子・通信 >  半導体・電子回路
電気・電子・情報工学 >  シリーズ電気・電子・情報工学 >  半導体デバイスシリーズ

内容紹介

メモリデバイスとセンサの中でも技術革新の中心にあるイメージセンサについて、重要かつ本質的な役割を果たしている原理、しくみ、今後の課題をまとめた技術者向け専門書。半導体デバイスの中でもとくに発展が著しいこれらの本質(動作原理、特性)を十分な深さで理解できるよう解説している。編集に時間をかけ内容を吟味してあり、若手技術者、大学院生のテキストとして適するばかりではなく、熟練技術者が自らの知識を再確認するにも最適。

目次

第I編 メモリデバイス
 1 メモリデバイスの基礎
  1.1 半導体メモリとは
  1.2 半導体メモリの市場
 2 量産中のメモリ
  2.1 DRAM
  2.2 SRAM
  2.3 EEPROM
 3 小規模生産中のメモリ
  3.1 FeRAM(強誘電体メモリ)
  3.2 MRAM
  3.3 PCM
 4 今後に期待されるメモリ
  4.1 抵抗メモリ(ReRAM)
  4.2 そのほかに提案されているメモリ
  4.3 実用化の要件
第Ⅱ編 イメージセンサ
 5 イメージセンサの基礎
  5.1 イメージセンサの基本構成
  5.2 光電変換と信号検出
  5.3 イメージセンサの基本特性
 6 CCDイメージセンサ
  6.1 CCD(電荷結合素子)の原理  
  6.2 CCDの駆動方式
  6.3 CCDイメージセンサの構造・機能
  6.4 CCDイメージセンサの諸特性
 7 CMOSイメージセンサ
  7.1 CMOSイメージセンサの基本構成
  7.2 画素構成
  7.3 CMOSイメージセンサの基本性能とその改善
  7.4 ノイズキャンセル(相関2重サンプリング)と信号読出し

関連商品

定価:本体5,700円+税
在庫:在庫あり