メモリデバイス・イメージセンサ
著者名 | 角南 英夫 編著 川人 祥二 編著 有本 和民 著 石原 宏 著 |
---|---|
発行元 | 丸善出版 |
発行年月日 | 2009年12月 |
判型 | A5 210×148 |
ページ数 | 314ページ |
ISBN | 978-4-621-08213-3 |
Cコード | 3355 |
NDCコード | 549 |
ジャンル | 電気・電子・情報工学 > 電子・通信 > 半導体・電子回路 電気・電子・情報工学 > シリーズ電気・電子・情報工学 > 半導体デバイスシリーズ |
内容紹介
メモリデバイスとセンサの中でも技術革新の中心にあるイメージセンサについて、重要かつ本質的な役割を果たしている原理、しくみ、今後の課題をまとめた技術者向け専門書。半導体デバイスの中でもとくに発展が著しいこれらの本質(動作原理、特性)を十分な深さで理解できるよう解説している。編集に時間をかけ内容を吟味してあり、若手技術者、大学院生のテキストとして適するばかりではなく、熟練技術者が自らの知識を再確認するにも最適。
目次
第I編 メモリデバイス
1 メモリデバイスの基礎
1.1 半導体メモリとは
1.2 半導体メモリの市場
2 量産中のメモリ
2.1 DRAM
2.2 SRAM
2.3 EEPROM
3 小規模生産中のメモリ
3.1 FeRAM(強誘電体メモリ)
3.2 MRAM
3.3 PCM
4 今後に期待されるメモリ
4.1 抵抗メモリ(ReRAM)
4.2 そのほかに提案されているメモリ
4.3 実用化の要件
第Ⅱ編 イメージセンサ
5 イメージセンサの基礎
5.1 イメージセンサの基本構成
5.2 光電変換と信号検出
5.3 イメージセンサの基本特性
6 CCDイメージセンサ
6.1 CCD(電荷結合素子)の原理
6.2 CCDの駆動方式
6.3 CCDイメージセンサの構造・機能
6.4 CCDイメージセンサの諸特性
7 CMOSイメージセンサ
7.1 CMOSイメージセンサの基本構成
7.2 画素構成
7.3 CMOSイメージセンサの基本性能とその改善
7.4 ノイズキャンセル(相関2重サンプリング)と信号読出し