集積ナノデバイス
| 著者名 | 平本 俊郎 編著 内田 建 著 杉井 信之 著 竹内 潔 著 |
|---|---|
| 発行元 | 丸善出版 |
| 発行年月日 | 2009年11月 |
| 判型 | A5 210×148 |
| ページ数 | 248ページ |
| ISBN | 978-4-621-08208-9 |
| Cコード | 3355 |
| NDCコード | 549 |
| ジャンル | 電気・電子・情報工学 > 電子・通信 > 半導体・電子回路 電気・電子・情報工学 > シリーズ電気・電子・情報工学 > 半導体デバイスシリーズ |
内容紹介
変革期を迎えるＶＬＳＩ技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。大学院生や半導体デバイスにかかわる技術者、研究者に新しい知見や研究開発を進めるための足場を提供する。本書はその第１巻。ナノスケールＶＬＳＩデバイス技術について動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた書籍。深くポイントを掘り下げ、洞察に満ちた内容、構成とした。ＭＯＳＦＥＴ動作の基礎と短チャネル効果の最新の説明から始まり、微細化にかわる技術として注目されている新構造トランジスタと移動度向上策までを紹介。また，集積化にともなう諸問題として特性ばらつきと信頼性を取り上げた。さらにカーボンナノチューブ等の異なるチャネル材料を用いたトランジスタとＭＯＳＦＥＴを越える新原理デバイスの研究状況について概説した。
目次
１ 序論
１．１ スケーリング則とムーアの法則
１．２ 集積ナノデバイスの諸問題
１．３ 本書の構成
２章 ＭＯＳトランジスタの基礎
２．１ ＭＯＳトランジスタの構造と動作
２．２ ＭＯＳトランジスタの１次近似モデル
２．３ ＭＯＳ容量（電荷密度と表面電位の関係）
２．４ ｐｎ接合付きＭＯＳ容量の少数キャリア
２．５ 長チャネルトランジスタ
２．６ スケーリング則
２．７ 短チャネルトランジスタ
２．８ ＭＯＳトランジスタにおける量子効果
２．９ まとめ
３ 微細トランジスタの性能向上
３．１ 極薄膜Ｓｉや３次元構造Ｓｉによる新構造トランジスタ
３．２ 移動度向上技術（ひずみＳｉ，新チャネル材料）
４ 微細化・集積化にともなう諸問題
４．１ スケーリングによる微細化とその課題
４．２ 微細ＭＯＳＦＥＴの信頼性
４．３ ソフトエラー
４．４ 微細トランジスタのばらつき
５ 将来展望
５．１ 将来に向けての技術動向
５．２ 集積ナノデバイスマップ
５．３ 将来の集積ナノデバイス候補
５．４ 集積ナノデバイスのビジョンマップ
