パワーデバイス
著者名 | 大橋 弘通 編著 葛原 正明 編著 |
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発行元 | 丸善出版 |
発行年月日 | 2011年01月 |
判型 | A5 210×148 |
ページ数 | 268ページ |
ISBN | 978-4-621-08339-0 |
Cコード | 3355 |
NDCコード | 549 |
ジャンル | 電気・電子・情報工学 > 電子・通信 > 半導体・電子回路 電気・電子・情報工学 > シリーズ電気・電子・情報工学 > 半導体デバイスシリーズ |
内容紹介
変革期を迎えるVLSI技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第4巻。 本書ではスイッチング機能と整流機能をもつ「電力変換デバイス」と高い線形性を維持しながらアナログ信号を増幅する機能をもつ「電力変換デバイス」の2つの異なる役割を担うパワーデバイスが対象。1章ではパワーデバイスの基礎を概観。2章では多様なパワーデバイスの種類と性能を紹介。3章ではシリコンパワーデバイスの基礎と新しい展開を解説。4章、5章ではそれぞれ化合物パワーデバイスと高周波パワーデバイスの役割と性能について詳述。
目次
1 パワーデバイスの世界
1.1 パワーデバイスの定義
1.2 電力変換の基礎
1.3 電力増幅の基礎
1.4 電力変換と電力増幅
2 パワーデバイスの基礎
2.1 パワーデバイスの種類
2.2 パワーデバイスの性能
2.3 半導体デバイスの基礎理論
3 シリコンパワーデバイス
3.1 電力変換デバイスの種類とその特徴
3.2 ダイオード
3.3 MOSFET
3.4 IGBT
3.5 パワーデバイスの新しい展開
4 化合物パワーデバイス
4.1 化合物半導体材料の特徴
4.2 シリコンカーバイドデバイス
4.3 窒化物パワーデバイス
5 高周波パワーデバイス
5.1 ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HEMT)
5.2 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)
出版社からのメッセージ
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本書は、少部数印刷にて重版が可能です。
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