メモリデバイス・イメージセンサ
| 著者名 | 角南 英夫 編著 川人 祥二 編著 有本 和民 著 石原 宏 著 |
|---|---|
| 発行元 | 丸善出版 |
| 発行年月日 | 2009年12月 |
| 判型 | A5 210×148 |
| ページ数 | 314ページ |
| ISBN | 978-4-621-08213-3 |
| Cコード | 3355 |
| NDCコード | 549 |
| ジャンル | 電気・電子・情報工学 > 電子・通信 > 半導体・電子回路 電気・電子・情報工学 > シリーズ電気・電子・情報工学 > 半導体デバイスシリーズ |
内容紹介
メモリデバイスとセンサの中でも技術革新の中心にあるイメージセンサについて、重要かつ本質的な役割を果たしている原理、しくみ、今後の課題をまとめた技術者向け専門書。半導体デバイスの中でもとくに発展が著しいこれらの本質（動作原理、特性）を十分な深さで理解できるよう解説している。編集に時間をかけ内容を吟味してあり、若手技術者、大学院生のテキストとして適するばかりではなく、熟練技術者が自らの知識を再確認するにも最適。
目次
第Ｉ編 メモリデバイス
１ メモリデバイスの基礎
１．１ 半導体メモリとは
１．２ 半導体メモリの市場
２ 量産中のメモリ
２．１ ＤＲＡＭ
２．２ ＳＲＡＭ
２．３ ＥＥＰＲＯＭ
３ 小規模生産中のメモリ
３．１ ＦｅＲＡＭ（強誘電体メモリ）
３．２ ＭＲＡＭ
３．３ ＰＣＭ
４ 今後に期待されるメモリ
４．１ 抵抗メモリ（ＲｅＲＡＭ）
４．２ そのほかに提案されているメモリ
４．３ 実用化の要件
第Ⅱ編 イメージセンサ
５ イメージセンサの基礎
５．１ イメージセンサの基本構成
５．２ 光電変換と信号検出
５．３ イメージセンサの基本特性
６ ＣＣＤイメージセンサ
６．１ ＣＣＤ（電荷結合素子）の原理
６．２ ＣＣＤの駆動方式
６．３ ＣＣＤイメージセンサの構造・機能
６．４ ＣＣＤイメージセンサの諸特性
７ ＣＭＯＳイメージセンサ
７．１ ＣＭＯＳイメージセンサの基本構成
７．２ 画素構成
７．３ ＣＭＯＳイメージセンサの基本性能とその改善
７．４ ノイズキャンセル（相関２重サンプリング）と信号読出し
